剑桥氮化镓器件申请用于半导体器件的双向开关专利，调节第一栅极端处的第一电压_科普教育

剑桥氮化镓器件申请用于半导体器件的双向开关专利，调节第一栅极端处的第一电压

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2026-03-03 14:18:47

国家知识产权局信息显示，剑桥氮化镓器件有限公司申请一项名为“用于半导体器件的双向开关”的专利，公开号CN121602976A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明公开用于半导体器件的双向开关，其中，半导体器件包括：用于接收第一控制信号的第一控制端；用于接收第二控制信号的第二控制端；以及双向功率晶体管，该双向功率晶体管包括第一栅极端、第二栅极端、第一端子以及第二端子，所述第一栅极端和第二栅极端位于第一端子与第二端子之间，在使用过程中，第一端子和第二端子用于作为双向功率晶体管的源极端或漏极端操作。该半导体器件还包括接口电路，该接口电路与双向功率晶体管单片集成，并可操作地与第一控制端、第二控制端、第一栅极端以及第二栅极端连接，该接口电路可主动切换式电路，该接口电路用于：调节第一栅极端处的第一电压；以及第二栅极端处的第二电压。

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来源：市场资讯

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