成绎半导体申请基于开关阱电容的带宽改进方法及电路专利，提高目标CMOS的信号带宽_科普教育

成绎半导体申请基于开关阱电容的带宽改进方法及电路专利，提高目标CMOS的信号带宽

创始人

2026-03-14 10:22:40

国家知识产权局信息显示，成绎半导体（苏州）有限公司申请一项名为“基于开关阱电容的带宽改进方法及电路”的专利，公开号CN121643706A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于开关阱电容的带宽改进方法及电路，所述方法包括：获得目标CMOS中MOS管的深N阱的最高耐压值；基于最高耐压值，确定施加到对应隔离端的高压信号；其中，高压信号用于在深N阱处形成的对地PN结上产生反向偏置电压；利用高压控制模块产生高压信号，并将高压信号接入隔离端，以通过降低MOS管的阱电容提高目标CMOS的信号带宽。本发明能够减小阱电容，进而提高目标CMOS开关的信号带宽。

天眼查资料显示，成绎半导体（苏州）有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本514.035万人民币。通过天眼查大数据分析，成绎半导体（苏州）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目1次，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

上一篇：速田机车部件取得一种点火开关专利，电接触稳定且可靠

下一篇：沈阳兴华航空电器申请一种快速插拔光纤插座专利，快速插拔

成绎半导体申请基于开关阱电容的带宽改进方法及电路专利，提高目标CMOS的信号带宽

相关内容

热门资讯