深圳平湖实验室联合国内科研团队完成一款万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关的研制与验证工作。该器件基于杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）自主研发的高质量氧化镓半绝缘衬底材料，击穿电压超过10000V，动态导通电阻低于10欧姆，响应时间小于1纳秒。

据#深圳平湖实验室 介绍，该器件在耐压能力、导通损耗和响应速度等关键指标上均达到国际先进水平。其击穿电压突破“万伏”门槛，标志着我国成为全球首个进入氧化镓万伏级器件实用化阶段的国家。该成果可用于高压直流输电智能控制、大功率脉冲源、先进加速器及国防高技术装备等领域，有望缓解高压、超快、低阻器件长期面临的“卡脖子”问题。

图片来源：深圳平湖实验室

器件性能的突破与其衬底材料密切相关。#镓仁半导体 提供的氧化镓半绝缘衬底，具备高结晶质量、良好厚度均匀性和稳定的电学特性。该公司目前已具备8英寸氧化镓衬底的规模化制备能力，其衬底产品的平整度、位错密度及电学参数均处于行业前列。据称，该衬底是目前国际上少数能够支撑万伏级器件工程化验证的氧化镓材料之一。

在氧化镓外延方面，镓仁半导体于2026年3月实现了全球首个8英寸氧化镓同质外延生长。公司还针对科研场景开发了“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，采用自主研发的全自动化复合测温与控温技术，控温精度达±0.1℃，并配备可视化操作界面及智能数据记录功能，可减少人工操作误差。

目前，镓仁半导体已实现8英寸氧化镓同质外延片的稳定供给，产品覆盖光导开关、MOSFET、二极管、探测器等器件需求。公司表示，愿与高校、科研院所及器件企业开展合作，推动氧化镓从实验室研究向产业化过渡。深圳平湖实验室成功研制万伏级氧化镓光导开关

深圳平湖实验室联合国内科研团队完成一款万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关的研制与验证工作。该器件基于杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）自主研发的高质量氧化镓半绝缘衬底材料，击穿电压超过10000V，动态导通电阻低于10欧姆，响应时间小于1纳秒。

据深圳平湖实验室介绍，该器件在耐压能力、导通损耗和响应速度等关键指标上均达到国际先进水平。其击穿电压突破“万伏”门槛，标志着我国成为全球首个进入氧化镓万伏级器件实用化阶段的国家。该成果可用于高压直流输电智能控制、大功率脉冲源、先进加速器及国防高技术装备等领域，有望缓解高压、超快、低阻器件长期面临的“卡脖子”问题。

器件性能的突破与其衬底材料密切相关。镓仁半导体提供的氧化镓半绝缘衬底，具备高结晶质量、良好厚度均匀性和稳定的电学特性。该公司目前已具备8英寸氧化镓衬底的规模化制备能力，其衬底产品的平整度、位错密度及电学参数均处于行业前列。据称，该衬底是目前国际上少数能够支撑万伏级器件工程化验证的氧化镓材料之一。

在氧化镓外延方面，镓仁半导体于2026年3月实现了全球首个8英寸氧化镓同质外延生长。公司还针对科研场景开发了“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，采用自主研发的全自动化复合测温与控温技术，控温精度达±0.1℃，并配备可视化操作界面及智能数据记录功能，可减少人工操作误差。

目前，镓仁半导体已实现8英寸氧化镓同质外延片的稳定供给，产品覆盖光导开关、MOSFET、二极管、探测器等器件需求。公司表示，愿与高校、科研院所及器件企业开展合作，推动氧化镓从实验室研究向产业化过渡。

（文/集邦化合物半导体整理）

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