桂电取得基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiC MOSFET管结温控制方法专利
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2026-05-19 19:29:25

国家知识产权局信息显示，桂林电子科技大学、南宁桂电电子科技研究院有限公司取得一项名为“基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiC MOSFET管结温控制方法、电路以及模拟平台”的专利，授权公告号CN115276379B，申请日期为2022年7月。

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来源：市场资讯

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