国家知识产权局信息显示,天虹科技股份有限公司申请一项名为“在玻璃基板上沉积金属导电层的方法”的专利,公开号CN122641355A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,本发明为一种在玻璃基板上沉积金属导电层的方法,包括以下步骤:清洁一玻璃基板,并在玻璃基板的表面形成一钛金属薄膜。通过一反应电浆对钛金属薄膜进行表面处理,使得钛金属薄膜成为一中介层,其中反应电浆包括一氧电浆、一氮电浆、一氟电浆或一氯电浆,而中介层则包括一氧化钛薄膜、一氮化钛薄膜、一氟化钛薄膜或一氯化钛薄膜。在玻璃基板的中介层上形成一钛金属导电层。钛金属导电层是通过中介层连接玻璃基板,可增加钛金属导电层与玻璃基板之间的附着力,并有利于提高后续封装工艺的良率及可靠度。
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