国家知识产权局信息显示，上海格瑞宝电子有限公司;江苏格瑞宝电子有限公司取得一项名为“一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件”的专利，授权公告号CN224710023U，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括：衬底、体区、源区、层间介质层、金属间介质层和钝化层；沟槽，其在横向方向延伸；沟槽内的场氧化层、屏蔽栅多晶硅、栅间介质层、栅极多晶硅和栅氧化层；栅极接触孔，在横向方向上与沟槽相平行地呈长条板状延伸；源极接触孔，在横向方向上与栅极接触孔相平行地呈长条板状延伸，相邻的栅极、源极接触孔形成彼此平行且相对的电容极板状结构；第一正面金属层，包括栅极金属区和源极金属区；第二正面金属层，包括栅极焊盘区域和源极焊盘区域；第一通孔，将栅极焊盘区域与栅极金属区连接，第二通孔，将源极焊盘区域与源极金属区连接。本实用新型增加了器件本身的栅源电容，降低了开关速度。

天眼查资料显示，上海格瑞宝电子有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1123.5955万人民币。通过天眼查大数据分析，上海格瑞宝电子有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可8个。

江苏格瑞宝电子有限公司，成立于2020年，位于南京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏格瑞宝电子有限公司专利信息9条，此外企业还拥有行政许可4个。

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